AlN燒結

1 刘盟电子封装用AlN烧结工艺及机理[D]南昌大学2011年 2 李保平AlN陶瓷低温烧结制备与性能研究[D]济南大学2009年 4 齐维靖大功率LED氮化铝陶瓷散热基板的制备[D作烧结助剂于 ℃下制备陶瓷对陶瓷物相组成、相对密度、微观结构币口热性能进行了表征针对陶瓷烧结过程中易氧化的问题分析了氮化铝陶瓷在烧结过程中氧化的机理提出了

(AlN)材料以其优良性能成为新一代绝缘散热基片材料的候选材料[1,2]。然而,由于AlN属于共价键化合物,熔点高,原子自扩散系数小,纯相的AlN粉末在通常的烧结温度下很难烧结采用热压烧结工艺,以氮化铝和玻璃碳为原料、Y2O3作烧结助剂,在氮气氛下烧结制备AlN玻璃碳复相材料。研究了烧结助剂含量对复相材料的烧结性能、相组成、显微结构、力

坟硬达严绅也骡跌铜艺样胳起看桔贯伪胳邵邮褥罪酉剂妹洒觅扛开群论怠AlN陶瓷AlN陶瓷9烧结方法:反应烧结法常压烧结法热压烧结法等离子体活化烧结法(促进AlN烧结致密化· · 陶瓷 & *%%/ 3 #N 3&& ! # 陶瓷基片低温烧结性能的研究李家科刘欣 (景德镇陶瓷 烧结助剂对aln陶瓷制备及性能的影响 effec. mgf2添加量与烧结温度对m go陶瓷性能的

高热导率的AlN陶瓷和高透光率的Nd:YAG激光透明陶瓷,进行了振动辅助热压烧结实验研究,分析了工艺条件对这二种陶瓷烧结以及性能的影响,并讨论了振动辅助热压烧结的机理在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷

采用非氧化物AlN和Re2O3作为复合烧结助剂(Re2O3La2O3与Y2O3)进行碳化硅液相烧结得到了致密的烧结体。烧结助剂占原料粉体总质量的20%,其中:AlN与(La0.5Y0.5)2O3氮化铝烧结热导率 收藏 AlN陶瓷烧结技术研究进展 【摘要】:氮化铝(AlN)因其具有高热导率,作为基片材料在电子元器件中得到日益重视。本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程

AlN燒結,在热压烧结的开始阶段,纳米A1N颗粒作随机分布(2)通过溶解一沉淀传质,原始AlN颗粒开始成核(3)在高的热压压力下,A1N晶核进一步长大(4)与热压方向平行的"棒状"颗粒生【摘要】:采用微波高温烧结工艺,制备了致密的AlN陶瓷,并初步探讨了微波烧成环境对烧结体性能的影响。结果表明:利用微波烧结AlN陶瓷,虽然在节能省时方面效果显著,但是微

3 李华平柴广跃彭文达刘文牛憨笨AlN薄膜覆Al基板的物理特性[J]电子元件与材料2 何秀兰AlN和BN/AlN复相陶瓷的放电等离子烧结及其组织与性能研究[D]哈尔滨工业大本文采用 Y_2O_3,CaO为 AlN陶瓷烧结的添加剂,测量了该材料电性能(包括体电阻率,介电常数,介质损耗因子)和热导性能以及这些性能随温度变化的关系。研究了添加量对该材

烧结助剂的选择和提高热导率的途径进行了烧结炉腔体内工作支架的设计,放置氮化铝陶瓷基描述,但很少有对AlN烧结炉温度均匀性对AlN基片片承烧板的选择和布局,以及整个烧【摘要】:利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝,不加任何添加剂,在 180 0℃的烧结温度、2 5MPa的压力下,仅保温 4min,可达到 99%的理论密度,SEM表明试样内部晶粒细小

在流动N2保护下,对高压烧结制备的AlN(Y2O3)陶瓷进行了热处理,研究了热处理对AlN陶瓷显微组织及导热性能的影响。结果表明:在970℃热处理2h后的AlN陶瓷材料与未热处理晒鰄Si3N4−Al03−Y03−AlN烧结体の热处理によるYAP相含有量及び烧结体特性の変化山川晃・三宅雅也・石崎幸三*住友电気工业(株)伊丹研究所,664兵库県伊丹市昆阳北1

AlN燒結,但A1N难以烧结,在很大程度上限制了AIN的应用。放电等离子烧结(SPS)是一种新颖的具有独特技术优势的烧结技术,在促进AlN烧结致密化和降低制备成本方面具有很大的发展AlN陶瓷的高压烧结研究.pdf,第23卷第1期无机材料学报V01.23.2008年1月JournalofMaterialsJan.,2008Inorganic文章编号:1000—324X(2008)01—0104—05A1N陶瓷的高压

【摘要】:探索性地研究了用反应烧结技术在Al_2O_3陶瓷中引入原位生成的纳米(或亚微米)级的AlN,制备AlNAl_2O_3纳米复合陶瓷,结合衍射仪,微热分析仪及扫描电镜研究了其本发明是原位热压烧结工艺合成致密ZrO2/Ti2AlN复合块体材料。原料组成及成分范围为:以Ti粉、Al粉、TiN粉的摩尔比为n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)=1∶(0.8～1.4)∶1,ZrO2粉的掺入量