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已经制作好的晶圆在经过化学腐蚀、机械研磨相结合的方式对晶圆表面进行磨抛,实现表面平坦化。然后再进行切片、封装、检测做成了一块完整的芯片。 芯片制造随着集成电路(IC)的快速发展,对衬底材料硅单晶抛光片表面质量的要求越来越高,化学机械抛光(CMP)是目前能实现全局平面化的方法。研究硅片CMP技术中浆料性

形成PN结,再用气相沉积加覆保护膜,再经过一种叫做CMP化学研磨技术,将其打磨平整抛光,让后续薄膜沉积更加顺利,重复上述工艺数十次后,才能将晶体管和上方的电路刻在晶片上面,来来回回几百次,才28、化学机械研磨法 随着用以隔离之用的场氧化层(FOX),CMOS电晶体,金属层及介电层等组成IC的各个结构在芯片上建立以后,芯片的概况也将随之变得高低凸凹不服坦,致使后续制程变得加倍

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