碳化硅制作工艺及设备
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
根据客户的设计要求,整合基本半导体标准工艺模块,提供完整的器件定制工艺 线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的 标准化的工艺模块,包括的碳化硅深沟槽刻蚀,栅氧工艺及各种金属结工艺；.
上海大革智能科技有限公司打造碳化硅产业化项目_技术_SEMI大半导体
2016年11月29日 以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体电力电子器件制造成套工艺与装备, 德国、美国、俄罗斯、日本多家企业的碳化硅长晶技术及设备制造厂家。
碳化硅_百度百科
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围 高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题 高,尤其是碳化硅单晶炉的结构设计、温度控制精度、真空度极限值及设备
中国研制成功世界口径单体碳化硅反射镜中新网 中国新闻网
2018年8月21日 中科院长春光机所研制成功的直径4.03米口径高精度碳化硅非球面反射镜。 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题 高,尤其是碳化硅单晶炉的结构设计、温度控制精度、真空度极限值及设备
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 中国日报网 金融频道
2017年10月24日 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代 方面性能尤为明显,由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温 缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术,掌握了相关外延工艺技术,生长
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破地方要闻区域创新
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
公司简介 Microcera specializes
宁波密克斯新材料科技有限公司专业生产无压烧结碳化硅陶瓷材料。 公司创办人陈 我们的生产工艺全球。两种材料都 生产所需的关键设备全部从欧美进口,包括大型高温真空烧结炉,全自动机械压机,等静压机,数控磨床等。 我们竭诚为您
连续碳化硅长丝纤维生产技术现状 中国材料进展
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括：有机硅烷小 工艺过程的技术关键,才能有效选择合适的工艺及生产装备,生产出高强度高模量连续碳化硅长丝 给辐照设备和工艺带来非常苛刻的要求,而且使材料的.
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破新华网 新华社
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（简称中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）
连续碳化硅长丝纤维生产技术现状 中国材料进展
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括：有机硅烷小 工艺过程的技术关键,才能有效选择合适的工艺及生产装备,生产出高强度高模量连续碳化硅长丝 给辐照设备和工艺带来非常苛刻的要求,而且使材料的.
超细碳化硅微粉生产过程中要用到什么设备呢？ 荥阳光亚耐材
2018年9月12日 熟悉碳化硅微粉的都知道碳化硅微粉是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体晶体结构, 黑/绿碳化硅微粉生产工艺及过程.
碳化硅制作工艺潍坊驰美精细陶瓷有限公司 碳化硅研磨桶
2018年6月22日 由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。 碳化硅制作工艺 高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、内面镶有电极
SIC China 2017 第九届上海国际工业陶瓷展览会
队及资源给参展企业提供技术答疑、生产工艺及设备升级改造、检测认证、创业 磨陶瓷、碳化硅陶瓷、过虑陶瓷、高技术陶瓷、陶瓷纤维、陶瓷密封件、纳米陶瓷、蜂窝
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 在中国电科13所、55所、泰科天润等十余家公司进行的器件制造工艺验证和
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破新华网 新华社
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（简称中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）
Ferrotec全球 陶瓷产品 Ferrotec全球 Ferrotec Global
设备相关产品制造过程中不可或缺的设备 在半导体制造工艺以及其他领域中被广泛使用并且是具有高强度,高纯度,高耐热性等 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC).
打破技术垄断,比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件 分立器件 半导体
2017年10月19日 用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的 比亚迪微电子团队通过不断的工艺及设计试验,目前在国内已自主研发出适合 . 能够提供SiC产品,后者的功率和设备器件业务已经独立为Wolfspeed。
4米量级高精度SiC非球面反射镜制造系统 中国科学院院刊
图1 FSGJ系列非球面制造设备 反射镜表面镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了4 m量级高精度SiC非球面集成制造平台, 控制等多项关键技术及工艺,实现了大口径磁控溅射技术在SiC反射镜表面改性层及反射膜制备方面的工程化应用。
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 研究人员们将在日前于美国华府举行的2017年碳化硅及相关材料国际 PRESiCE工艺可用于降低SiC功率组件的生产成本（来源：North Carolina
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 在中国电科13所、55所、泰科天润等十余家公司进行的器件制造工艺验证和
全球碳化硅晶片的主要生产商之一 北京天科合达半导体股份有限公司
天科合达公司参展第十二届欧洲碳化硅及相关材料会议（ECSCRM2018） 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新示范区 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当种类、
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破地方要闻区域创新
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。 和人才培养,进一步提高产品技术及工艺水平,促进成本降低,推动产业化进程加速上行。
