PE系列颚式破碎机
该原理具有两大优势:机体结构简单,易于操作操作维护
在线报价汽车电动化趋势正稳定成长,因此插电式油电混合车和全电动车(xEV)需要高效率的功率半导体。相较于传统硅(Si)芯片,碳化硅(SiC)的优点不仅能应用在工业,亦能
SiC模組的特徵. 使用大電流的功率模組廣泛採用Si的IGBT與FRD組合之IGBT模組。ROHM引領世界,開始販售搭載SiCMOSFET與SiCSBD之功率模組。
2017年3月9日 上次說明了SiC的物性和SiC功率元件的特徴。SiC功率元件可以達到超越Si功率元件的高耐壓、低ON阻抗、高速動作,亦可在更高溫下動作。這次我
2015年7月6日 ROHM 是SiC 技術的領先製造商,能在高電壓設計中達到更高的效率和更高導熱性。
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括:有机硅烷小 应性气氛中高温热交联结晶化形成终烧碳化硅纤维的高温热化学转化过程。
2018年8月21日 英飛凌以革命性的碳化矽(SiC)溝槽式技術推出CoolSiC MOSFET系列,提供高性能、高可靠性、高功率密度且具成本效益的解決方案
2016年11月15日 傳統的硅(Silicon Si)功率器件,由於價格低廉與開發時間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide
2016年11月15日 傳統的硅(Silicon Si)功率器件,由於價格低廉與開發時間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide
结果表明:采用注浆成型制备的碳化硅木质陶瓷力学性能优异,实测的游离硅含量同 充分,烧结体显微硬度、弯曲强度、弹性模量和断裂韧性分别为22.3 GPa、397
2017年8月5日 碳化硅(SiC)应用将在2019年迎来爆发! 许多市场正面信号显示,SiC功率器件的市场应用正在加速. 2016年,Yole曾称"SiC功率半导体市场是确定
【摘要】:碳化硅(SiC)是新型功率半导体材料之一,具有禁带宽、击穿电场高、热导率高、载流子漂移速率高、功率密集度高等诸多优点。以SiC材料为基础的功率半导体
瀚薪科技股份有限公司提供碳化矽功率半導體產品服務,為專業的碳化矽功率半導體製造商, 碳化矽功率半導體供應商及碳化矽功率半導體出口商.
碳化硅砖是以SiC为主要原料制成的耐火材料。莫氏硬度9。对于酸性熔渣较稳定。含SiC 72%~99%。分为黏土结合、Si3N4结合、Sialon结合、βSiC结合、Si2ON2
2004年6月6日 采用XeCl 准分子激光对非晶碳化硅(aSiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究.通过原子力显微镜(AFM)和. Raman 光谱技术对退火前后薄膜样品
為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究,將於2018功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇活動配合舉辦學生
为了更好地评估碳化硅(Silicon carbide,SiC)MOSFET在功率变换装置中的性能, 针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种
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2018年5月30日 碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。
碳化硅是一种黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高温环境(1000℃以上)中机械强度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其强共价键,在各种精密陶瓷材料中硬度、耐
2017年11月21日 氧化铝 · 氧化锆 · 碳化硅. 联系我们. 无锡易克赛思新材料有限公司联系人:刘经理手机: 电话:0510- 公司地址:江苏省宜兴
ChemicalBook 为您提供碳化硅(409212)的化学性质,熔点,沸点,密度,分子式,分子量,物理性质,毒性,结构式,海关编码等信息,同时您还可以浏览碳化
在25℃下施加额定电压时,混合型SiC 模. 块的漏电流ICES 比Si 模块的漏电流ICES 要大数千倍,但是在150℃下,该值下降到2 倍左右。SiCSBD 漏电流. 的温度依存
碳化硅是一种黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高温环境(1000℃以上)中机械强度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其强共价键,在各种精密陶瓷材料中硬度、耐
2017年8月5日 碳化硅(SiC)应用将在2019年迎来爆发! 许多市场正面信号显示,SiC功率器件的市场应用正在加速. 2016年,Yole曾称"SiC功率半导体市场是确定
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、