碳化硅 工艺设备
线切割用碳化硅新型干法生产工艺简介_粉体技术_粉体圈
针对这些问题,国内某些知名企业从国外引进了新型的线切割用碳化硅干法工艺生产线。该生产线的核心设备是高压辊磨机和在线式粒度控制系统。该生产线生产出的
中国首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试_中国半导体照明网
2017年12月22日 时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。 一系列高难度、高危险的任务,为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的"
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
4米量级高精度SiC非球面反射镜制造系统 中国科学院院刊
在张学军研究员带领下,历经8年技术攻关,研究团队完成了SiC镜坯制备、非球面加工检测、SiC表面改性和反射镜表面镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了4
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破半导体碳化硅材料_
2018年6月6日 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里" 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
时代电气6英寸碳化硅（SiC）产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件
英飞凌开始批量生产全碳化硅模块 工艺设备 电子工程世界网
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
玻璃钢用碳化硅,金蒙专业生产16年！
金蒙新材碳化硅耐冲刷、耐腐蚀,玻璃钢用材料。. 公司研发部更是根据不同客户的工艺设备要求,提供相对应的碳化硅产品,有效保证了合作产业
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟.
SFB 管壳式碳化硅换热器 3V Tech
主页 > 工艺设备 > 搪玻璃 > 热交换 > SFB 管壳式碳化硅换热器 SFB类型的外壳和夹套侧管板由不锈钢制成,其挡板由PTFE制成,碳化硅管子和管侧的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供应的Hexoloy SA碳化硅管道
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟.
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
公司简介 Microcera specializes
宁波密克斯新材料科技有限公司专业生产无压烧结碳化硅陶瓷材料。 公司创办人陈 我们的生产工艺全球。两种材料都 生产所需的关键设备全部从欧美进口,包括大型高温真空烧结炉,全自动机械压机,等静压机,数控磨床等。 我们竭诚为您
半导体科普五半导体材料、工艺和设备 知乎专栏
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入
半导体制造设备｜产品信息｜ACCRETECH 東京精密
高刚性研磨盘是对蓝宝石、碳化硅等难磨材料进行研磨的设备。 CMP装置. CMP设备. CMP是在IC 制造工程中晶圆表面平坦化工艺之一环,使用化学研磨剂、研磨垫
碳化硅材料磨削技术基础研究【维普网】仓储式在线作品出版平台www
为满足碳化硅材料的磨削要求,根据碳化硅材料的性能,研究了磨削工艺,并针对磨削中出现的技术难题,采取 【出处】, 《电子工业专用设备》2018年第2期 3435页共3页.
碳化硅(SiC)：历史与应用 微波基础知识 微波射频网
2017年8月10日 硅与碳的合成物是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣 幸运的是,生产中使用渗氮工艺可使造成这些接口问题的缺陷大大降低。
150mm晶圆时代已逝？大错特错啦！ 晶圆 微迷：专业MEMS市场调研
2018年7月21日 在GaAs衬底上制造的器件常常以多片晶圆批量式进行工艺步骤,这 碳化硅（SiC）应用持续升温 150mm SiC晶圆制造设备有何特殊之处？
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破地方要闻区域创新
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功_首页_株洲中
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
HOLLIASLEC G3 PLC 在SiC（碳化硅） 北京和利时电机技术有限公司
根据碳化硅晶体生长工艺要求,提供了一种降低成本、增加可靠性的运动控制方. 案。该晶体生长炉运动控制系统的全套硬件设备及软件设计工作由杭州和利时自.
全球碳化硅晶片的主要生产商之一 北京天科合达半导体股份有限公司
公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果,集技术、管理、市场和 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当
中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成 电子发烧友
2018年1月15日 近日,中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件,
