碳化硅设备工艺
我国研制出4米大口径碳化硅非球面光学反射镜新华网 新华社
2018年8月21日 我国研制出4米大口径碳化硅非球面光学反射镜探索9年、经18个月加工" 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成 电子发烧友
2018年1月15日 近日,中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件,
河北灵寿碳化硅微粉生产工艺 雷蒙磨粉机
整个碳化硅微粉生产工艺流程运行高效,物料在各个设备之间高效流通,人员操作方便,整条生产线的占地面积小,节省土地投资成本。公司为河北用户组建的碳化硅
半导体科普五半导体材料、工艺和设备 知乎专栏
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入
西格里集团SGL CARBON SGL Group
碳/碳化硅是一种复合材料,其将碳纤维结合在陶瓷基料中,并将材料的物理特性发挥 形状接近几何公差的结构部件 高温应用部件 化学工艺设备用部件 航空航天
我国研制出4米大口径碳化硅非球面光学反射镜新华网 新华社
2018年8月21日 我国研制出4米大口径碳化硅非球面光学反射镜探索9年、经18个月加工" 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
中国首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试_中国半导体照明网
2017年12月22日 时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。 一系列高难度、高危险的任务,为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的"
碳化硅陶瓷的特种制备技术 行业新闻 先进陶瓷展官网 工业陶瓷展会
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭 除引燃外无需外部热源,具有耗能少、设备工艺简单、生产率高的优点,其缺点是目
全球碳化硅晶片的主要生产商之一 北京天科合达半导体股份有限公司
公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果,集技术、管理、市场和 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当
4米量级高精度SiC非球面反射镜制造系统 中国科学院院刊
在张学军研究员带领下,历经8年技术攻关,研究团队完成了SiC镜坯制备、非球面加工检测、SiC表面改性和反射镜表面镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了4
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
碳化硅干燥项目 化工行业 常州市凯亚干燥设备有限公司
碳化硅干燥生产线是我公司为克服静态干燥低效、高耗而研制开发的新型高效流态 扬长避短,使整机具有合理的工艺结构和优越的使用性能,真正实现流态化干燥的
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 中国日报网 金融频道
2017年10月24日 尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为
碳化硅_百度百科
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围 高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、
我成功研制世界口径单体碳化硅反射镜新华网 新华社
2018年8月23日 这是公开报道的世界上口径碳化硅单体反射镜,标志我国光学系统制造 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
功率器件工艺材料双雄并起：SiC和GaN基础器件与非网
碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然 技术比较困难；工艺装置特殊要求,技术标准高,例离子注入,外延设备,激光曝光光
碳化硅
金蒙新材料公司是以生产碳化硅微粉为主的高新技术企业,拥有完善的碳化硅微粉生产线和工艺技术。金蒙建有质量检测,配备了专业的检测设备。年产碳化硅
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
【行业分享】备受期待的碳化硅功率器件行业动态ROHM技术社区
2018年5月30日 在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用广泛、经济的一种。 其他用途,例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其 . 当然还有配套的设备、材料等环节,本期不做介绍。
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 中国日报网 金融频道
2017年10月24日 尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为
中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功_首页_株洲中
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
时代电气6英寸碳化硅（SiC）产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET
