碳化硅 工艺设备
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破概念股掘金股票频道金融界
2017年10月24日 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为 大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟.
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 碳化硅(SiC),这种宽能隙的半导体组件可用于打造更优质的晶体管,取代当今的硅功率晶体管,并与二极管共同搭配,提供温度、频率的
天科合达牵头的"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题
2017年10月26日 近日,863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟.
张永辉：连续纤维增强陶瓷基复合材料研制及应用西安交通大学材料科学
2018年7月2日 而后讲解了超码科技有限公司所使用的技术和设备,并简单讲解了公司所能做出来的工艺,所能做出来的产品,以及先进的分析检测设备。 比如张南龙博士生提问关于碳化硅晶须的问题,张亚明博士生提问的关于硬度检测标样的
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
时代电气6英寸碳化硅（SiC）产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成,具备SiC产品的生产条件
功率器件工艺材料双雄并起：SiC和GaN基础器件与非网
碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然 技术比较困难；工艺装置特殊要求,技术标准高,例离子注入,外延设备,激光曝光光
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破地方要闻区域创新
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
英飞凌开始批量生产全碳化硅模块 工艺设备 电子工程世界网
2017年6月28日 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX:
SFB 管壳式碳化硅换热器 3V Tech
主页 > 工艺设备 > 搪玻璃 > 热交换 > SFB 管壳式碳化硅换热器 SFB类型的外壳和夹套侧管板由不锈钢制成,其挡板由PTFE制成,碳化硅管子和管侧的分配器由塘玻璃制成。 碳化硅管道 管道由SaintGobain陶瓷供应的Hexoloy SA碳化硅管道
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破半导体碳化硅材料_
2018年6月6日 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里" 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 中国日报网 金融频道
2017年10月24日 尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为
中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功_首页_株洲中
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破新华网 新华社
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。".
玻璃钢用碳化硅,金蒙专业生产16年！
金蒙新材碳化硅耐冲刷、耐腐蚀,玻璃钢用材料。. 公司研发部更是根据不同客户的工艺设备要求,提供相对应的碳化硅产品,有效保证了合作产业
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
中国首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试_中国半导体照明网
2017年12月22日 时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。 一系列高难度、高危险的任务,为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的"
150mm晶圆时代已逝？大错特错啦！ 晶圆 微迷：专业MEMS市场调研
2018年7月21日 在GaAs衬底上制造的器件常常以多片晶圆批量式进行工艺步骤,这 碳化硅（SiC）应用持续升温 150mm SiC晶圆制造设备有何特殊之处？
碳化硅材料磨削技术基础研究【维普网】仓储式在线作品出版平台www
为满足碳化硅材料的磨削要求,根据碳化硅材料的性能,研究了磨削工艺,并针对磨削中出现的技术难题,采取 【出处】, 《电子工业专用设备》2018年第2期 3435页共3页.
公司简介 Microcera specializes
宁波密克斯新材料科技有限公司专业生产无压烧结碳化硅陶瓷材料。 公司创办人陈 我们的生产工艺全球。两种材料都 生产所需的关键设备全部从欧美进口,包括大型高温真空烧结炉,全自动机械压机,等静压机,数控磨床等。 我们竭诚为您
西格里集团SGL CARBON SGL Group
碳/碳化硅是一种复合材料,其将碳纤维结合在陶瓷基料中,并将材料的物理特性发挥 形状接近几何公差的结构部件 高温应用部件 化学工艺设备用部件 航空航天
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 减薄、切割、磨抛等关键工艺装备与工艺整合研究,为SiC器件制造整线装备的
